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韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

俄罗斯卫星通讯社

据韩媒援引业内消息人士的话报道，韩国芯片巨头SK海力士计划在年内对其中国半导体工厂进行技术提升改造，将其中国无锡的半导体工厂升级转换为10纳米级第四代DRAM工艺。 2024年1月15日, 俄罗斯卫星通讯社

2024-01-15T08:26+0800

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无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占SK海力士DRAM总产量的40%。无锡工厂目前正在生产第二代和第三代DRAM，该产品属于10纳米后期级别的老产品（传统）系列。对于SK海力士而言，将无锡工厂过渡到10纳米第四代DRAM及更高水平是一项挑战。这是由于美国公开的EUV法规所致。自2019年起，美国禁止ASML的EUV光刻机进入中国市场，而EUV光刻机是先进半导体工艺的重要设备。这是为了给中国政府的“半导体推广”施加压力。报道称，SK海力士受禁令影响不大。自生产10纳米第四代DRAM以来，该公司一直在使用EUV工艺，但由于不允许将EUV光刻设备带入无锡，因此无法以正常方式生产这些DRAM。 当然，SK海力士去年获得了美国政府授予的”验证最终用户“（VEU）称号，这使其可以向中国工厂进口用于生产18纳米以下 DRAM 的设备。但这并不允许进口 EUV 设备。 SK海力士决定转换工艺是为了运输。它将在无锡生产线上完成第四代 DRAM 的部分工艺，然后把晶圆运到其总部所在地利川园区，应用 EUV，再运回无锡完成整个工艺。该公司在 2013 年无锡工厂大火期间克服了 DRAM 生产中断的困难，因此在这种方法上也拥有丰富的经验。关于无锡工厂的工艺转换，SK海力士表示：“我们无法确认公司具体的工厂运营计划。”

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