美国做什么,芯片研产不至于输给中国

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美国做什么,芯片研产不至于输给中国 - 俄罗斯卫星通讯社, 1920, 05.08.2022
中国存储芯片制造商长江存储(YMTC)正在追赶其美国和韩国的竞争对手。据公司通报,制成由 232 层组成的第四代 3D NAND 芯片。闪存生产的世界领导者Micron和SK Hynix,刚刚开始大规模生产此类芯片。美国意图阻止长江存储获得技术,这样不至于输掉与中国在半导体方面的竞赛。
目前,长江存储是中国半导体领域最为成功的企业之一。该公司在世界NAND闪存市场约占5%份额。但据估计,到2027年,该指数将增加一倍多。此前曾有报道,苹果公司正考虑将YMTC确定为苹果手机闪存供应商,与Kioxia, Micron, Samsung, Western Digital公司等同。全球出现芯片慌,且Western Digital公司也承认,因企业内的材料污染,导致无法生产低于6.5艾字节的记忆卡。在此情况下,苹果公司决定供应商多元化。苹果公司将长江存储定为供应商表明,这家企业的产品符合技术最高标准。
此前长江存储未被列入制裁清单。彼时,美国关注的是华盛顿所认为的对其构成实实在在竞争威胁的中国高科技企业,比如华为和中芯国际等。但长江存储突起,迫使美国鹰派将中国的NAND芯片制造商也定性为“国家安全威胁”。美国商务部部长吉娜·雷蒙多不久前收到参议员多数派领袖查克·舒默等两党参议员的信函,他们建议禁止为长江存储提供美国可生产128层以上记忆卡的技术和设备。
但长江存储已从其他国家大型供应商那里获得技术,生产同样层数的闪存卡。另一个问题是,初始阶段,在没有设备情况下,无法实现规模化生产。尽管如此,从技术角度看,生产闪卡的技术要比生产逻辑芯片更为容易。北京师范大学-香港浸会大学联合国际学院教授许粲昊在接受卫星通讯社采访时指出,中国很容易适应新的条件生产NAND芯片。

他说:“我认为存在这种趋势,因为美国想要限制中国半导体产业的快速发展,而且自2018年开始就在不断加码限制措施。目前长城存储在存储芯片领域的技术属于世界先进水平,对此美国也非常清楚。实际上当堆叠层数达到一定水平,或者技术突破到某一阶段时,必然会伴随着被打压。不过与逻辑芯片相比,存储芯片的设计技术更加简单,结构也没有过于复杂,通常芯片制造相关的先进工艺也都会在存储芯片上率先试制。从这一角度来看,可能存储芯片会是一个很好的技术突破点。”

美国国会大厦 - 俄罗斯卫星通讯社, 1920, 28.07.2022
美国参议院没有让对华竞争法案缩水
不久前,美国通过《竞争力法案》,拟拨出520亿美元补贴半导体公司,在美国本土发展芯片生产。但对美国商界来说存在不利条件。比如获得补贴的条件是公司不再中国扩大生产。目前,世界差不多25%的闪存供往中国市场。甚至美国和韩国厂家也在中国设厂。比如SK Hynix公司,此前曾收购英特公司在大连的3D NAND芯片企业。从这点看,美国议员们所讨论的制裁案,对全世界的半导体公司来说是把双刃剑,最终不会推动芯片厂家对美国市场的兴趣,而是相反。
目前,中国公司正努力增加自身技术能力。长江存储公司在强化竞争力,也非常清楚,在制裁螺旋还未对公司造成打击情况下最大程度地快速行动。6月末有消息传出,长江存储在武汉建第二家闪存芯片生产厂。如工厂全面运转,每月将生产20万个3D NAND芯片,这要比现有的工厂产出多出一倍。
习近平在与拜登的交谈中(资料图片) - 俄罗斯卫星通讯社, 1920, 02.08.2022
中美都极不想开战
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