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专家：中国7纳米及以下半导体短期难追英伟达，5至10年内有望破局
专家：中国7纳米及以下半导体短期难追英伟达，5至10年内有望破局
俄罗斯卫星通讯社
... 2026年8月25日, 俄罗斯卫星通讯社
2026-08-25T16:43+0800
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高盛在其第四期全球半导体芯片研究报告《中国半导体国产化进程持续推进》中指出，在生成式人工智能需求拉动下，中国半导体供应链正持续扩张并加快补齐短板。高盛预计，到2035年中国7纳米及以下逻辑芯片供需缺口将收窄至34%；2025至2035年，该类晶圆月需求将以17%的年复合增长率攀升，2035年达每月61.9万片，增长主要由AI服务器需求驱动，同期AI服务器需求年复合增速达42%。报告另预测，长鑫存储至2028年可满足中国50%的DRAM需求。上述预测与中国国内产业动态形成呼应。据公开信息，长鑫科技2026年7月登陆科创板，2025年四季度其DRAM全球份额已升至7.67%，居全球第四；国金证券测算其月产能有望从2025年底的28万—29万片提升至2028年的50万片。另据中国日报网2026年2月数据显示，北方华创、中微公司、上海微电子三家中国设备商首次跻身全球半导体设备销售额前二十，但高端光刻机等环节仍存代差。从公开背景看，中国工信部2024年版《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》已列明国产深紫外光刻机65纳米分辨率、8纳米套刻精度指标。此前亦有报道指出，7纳米及以下制程仍受高端光刻机、刻蚀机及EDA工具、高端光刻胶等进口限制，上游环节国产化率不足20%。综合高盛预测与专家判断，中国半导体国产化在中长期窗口内具备收缩供需缺口的现实路径，但先进制程、高端光刻与最前沿节点仍是客观存在的技术边界；产业推进正沿“AI需求牵引—产能扩张—设备材料配套—节点逐级逼近”的链条展开，而非一蹴而就的全局赶超。
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专家：中国7纳米及以下半导体短期难追英伟达，5至10年内有望破局
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美国投资研究机构高盛最新报告提出，中国半导体供应链正在生成式AI需求推动下持续发展并加快补齐产业链短板。北师香港浸会大学教授许粲昊在接受俄罗斯卫星通讯社采访时表示，中国半导体在7纳米及以下先进制程整体技术能力仍偏弱、高端光刻机等关键环节受限。短期内2至3纳米尖端突破及完全自主全产业链追平英伟达英特尔难度极大，但中长期5至10年存在可行性。
高盛在其第四期全球半导体芯片研究报告《中国半导体国产化进程持续推进》中指出，在生成式人工智能需求拉动下，中国半导体供应链正持续扩张并加快补齐短板。高盛预计，到2035年中国7纳米及以下逻辑芯片供需缺口将收窄至34%；2025至2035年，该类晶圆月需求将以17%的年复合增长率攀升，2035年达每月61.9万片，增长主要由AI服务器需求驱动，同期AI服务器需求年复合增速达42%。报告另预测，长鑫存储至2028年可满足中国50%的DRAM需求。
上述预测与中国国内产业动态形成呼应。据公开信息，
长鑫科技2026年7月登陆科创板，2025年四季度其DRAM全球份额已升至7.67%，居全球第四；国金证券测算其月产能有望从2025年底的28万—29万片提升至2028年的50万片。另据中国日报网2026年2月数据显示，北方华创、中微公司、上海微电子三家中国设备商首次跻身全球半导体设备销售额前二十，但高端光刻机等环节仍存代差。
在此背景下，许粲昊表示：“当前我国半导体产业发展面临的挑战主要在先进制程芯片制造环节，比如7纳米及以下制程领域。目前我国虽已初步搭建起对应制程的制造体系，但整体技术能力仍偏弱，产业链关键环节如高端光刻机等存在限制，大部分技术尚未跻身全球第一梯队。”
从公开背景看，中国工信部2024年版《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》已列明国产深紫外光刻机65纳米分辨率、8纳米套刻精度指标。此前亦有报道指出，7纳米及以下制程仍受高端光刻机、刻蚀机及EDA工具、高端光刻胶等进口限制，上游环节国产化率不足20%。
许粲昊进一步指出：“短期内我国实现尖端技术突破的可能性较小，特别是在2~3纳米这类全球最前沿的半导体工艺领域，建成完全自主的全产业链体系，追平英伟达、英特尔等头部企业的最新工艺水平，难度是非常大的。但从中长期发展来看，5~10年内存在可行性。”
综合高盛预测与专家判断，中国
半导体国产化在中长期窗口内具备收缩供需缺口的现实路径，但先进制程、高端光刻与最前沿节点仍是客观存在的技术边界；产业推进正沿“AI需求牵引—产能扩张—设备材料配套—节点逐级逼近”的链条展开，而非一蹴而就的全局赶超。
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