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日法将合作开发1纳米制程新一代半导体

日法将合作开发1纳米制程新一代半导体

俄罗斯卫星通讯社

据日经新闻网报道，日本Rapidus公司、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。 2023年11月18日, 俄罗斯卫星通讯社

2023-11-18T16:02+0800

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消息称，Rapidus公司、东大及理化学研究所参与的研究机构“最尖端半导体技术中心（LSTC）”与Leti于10月签订了探讨合作的备忘录。双方的目标是确立设计开发线宽为1.4纳米-1纳米的半导体所需要的基础技术。1纳米产品需要不同于传统的晶体管（元件）结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。最尖端半导体技术中心将在试制品评估及人才派遣等方面进行合作。消息指出，双方将于2024年将正式开展人才交流和技术共享。利用Leti的技术，构建有利于提高自动驾驶和人工智能（AI）性能的1纳米产品供应体制。消息称，Rapidus公司目前正与美国IBM公司、比利时半导体研究开发机构imec合作开发2纳米工艺，计划于2027年实现量产。1纳米产品预计在2030年代以后普及，功率及运算性能比2纳米高1-2成。1纳米产品也在考虑寻求与IBM合作。

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