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媒体：三星前高管涉嫌盗取机密欲在中国设芯片厂

媒体：三星前高管涉嫌盗取机密欲在中国设芯片厂

俄罗斯卫星通讯社

据韩联社报道，涉嫌盗取机密企图在中国设立“山寨版”三星电子半导体工厂的前三星电子高管被逮捕起诉。 2023年6月12日, 俄罗斯卫星通讯社

2023-06-12T14:28+0800

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韩国水原地方检察厅6月12日表示，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名将这名高管逮捕起诉，并以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等针对其在华设立的公司所属5名职员和涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司1名职员共6人进行不捕直诉。报道称，该高管涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。经查发现，该高管企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建“山寨版”三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约合人民币443亿元）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，该人曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。嫌疑人曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，泄露技术给三星电子至少造成3000亿韩元损失（约合16.62亿元人民币）。

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