研究二维材料("二维"是指电子仅按照两个坐标运动的系统)--它是最具现实意义的学术课题。正是因为第一次发现并研究这种材料(石墨烯)2010年授予诺贝尔物理学奖。
由于二维材料的自身性质,它作为新一代紧凑型电子仪器的主要元件。例如,二维二硫化钼(MoS2)在晶体管元件中具有高电荷迁移率和开关比--所有这些表明电子仪器依靠二维二硫化钼提高工作速度的可能性。
2017年已经近乎非常充分的使用这种材料,对MoS2结构缺陷的完善机制进行了说明,并在"ACS Nano"杂志中发表,教授格特哈尔德·谢伊菲尔特说到。而科学家们继续研究二维材料的性质。
"这种材料单层的特殊光学性质,像二硫化钼和二硒化钨(WSe2),由激子决定:激子与电子空穴对相关(作为正电荷载体的准粒子)",国家工艺研究大学领军科学家、教授格特哈尔德·谢伊菲尔特谈到。
同时,通过独立单层相互铺叠建立MoS2/WSe2的异质结结构可以产生新型激子,在激子中电子和空穴在空间上可以分布在不同层中。
"由于使用光谱学法和量子化学第一原理计算法,我们在MoS2/WSe2中发现了部分带电电子空穴对,并对其进行定位。我们通过改变各层的相对方向得以控制这种新激子的辐射能",格特哈尔德·谢伊菲尔特对新成果解释道。
这些层间激子可以给出特别的光学信号,反映出在各层铺叠时发生了什么,可以视为是控制半导体凹陷处(局部最小导电区)电子的量子电子学实验的理想激子。利用其中一个凹陷处的电子空间对信息进行最大化的有效编码。
根据谢伊菲尔特所说,后续团队计划研究各层的旋转对材料的电子性质的影响,以及利用这些材料将发明的物体:太阳能板元件、晶体管和其他设备。
由于二维材料的自身性质,它作为新一代紧凑型电子仪器的主要元件。例如,二维二硫化钼(MoS2)在晶体管元件中具有高电荷迁移率和开关比--所有这些表明电子仪器依靠二维二硫化钼提高工作速度的可能性。
2017年已经近乎非常充分的使用这种材料,对MoS2结构缺陷的完善机制进行了说明,并在"ACS Nano"杂志中发表,教授格特哈尔德·谢伊菲尔特说到。而科学家们继续研究二维材料的性质。
"这种材料单层的特殊光学性质,像二硫化钼和二硒化钨(WSe2),由激子决定:激子与电子空穴对相关(作为正电荷载体的准粒子)",国家工艺研究大学领军科学家、教授格特哈尔德·谢伊菲尔特谈到。
同时,通过独立单层相互铺叠建立MoS2/WSe2的异质结结构可以产生新型激子,在激子中电子和空穴在空间上可以分布在不同层中。
"由于使用光谱学法和量子化学第一原理计算法,我们在MoS2/WSe2中发现了部分带电电子空穴对,并对其进行定位。我们通过改变各层的相对方向得以控制这种新激子的辐射能",格特哈尔德·谢伊菲尔特对新成果解释道。
这些层间激子可以给出特别的光学信号,反映出在各层铺叠时发生了什么,可以视为是控制半导体凹陷处(局部最小导电区)电子的量子电子学实验的理想激子。利用其中一个凹陷处的电子空间对信息进行最大化的有效编码。
根据谢伊菲尔特所说,后续团队计划研究各层的旋转对材料的电子性质的影响,以及利用这些材料将发明的物体:太阳能板元件、晶体管和其他设备。