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三星电子在美国得州建芯片厂 创下其在美投资规模之最

三星电子在美国得州建芯片厂 创下其在美投资规模之最

俄罗斯卫星通讯社

据韩联社报道，三星电子公布将斥资170亿美元在得州泰勒市新建公司在美国的第二座半导体晶圆代工厂。 2021年11月25日, 俄罗斯卫星通讯社

2021-11-25T12:28+0800

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这是三星电子自今年5月在华盛顿特区举行的“韩美商务圆桌会议”上发布在美新建晶圆工厂计划之后，时隔6个月最终敲定工厂选址。三星电子还于24日在韩国公布了相关消息。据悉，第二工厂总面积为500万平方米，将于明年上半年动工，计划于2024年下半年投入量产，负责生产5G、高性能计算机（HPC）和人工智能等尖端系统半导体。投资规模预计达170亿美元，创三星电子在美投资规模之最。三星电子副会长金奇南在记者会上表示，今年是三星电子进军美国半导体市场25周年。公司在泰勒市的投资计划将成为面向全新未来发展的基石，并在稳定全球半导体供应链、创造工作岗位、培养人才等方面做出贡献。三星电子表示，公司综合考虑新厂与奥斯汀工厂的协同效应、半导体生态系统和基建供应稳定性、与地方政府的合作等因素，敲定泰勒市为新厂址。由于新厂距离奥斯汀工厂只有25公里，便于使用既有基础设施。加上，得州有许多IT企业和著名大学，有利于吸引顾客和优秀人才。泰勒市政府也承诺将向三星电子提供丰厚优惠。第二厂将与正在兴建的京畿道平泽市第三厂一道在实现三星“系统半导体2030愿景”的过程中发挥核心产地作用。由此，从韩国器兴、华城、平泽，到美国奥斯汀和泰勒，三星电子的全球系统半导体生产体系将更为牢固强化。

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