俄科学家发现斯格明子霍尔效应 可制造新型电子储存器

奥列格·特列季亚科夫称，“斯格明子”可能是未来磁存储技术的基础。斯格明子的间距可仅为几纳米，与此同时，现代硬盘的磁畴最少为100纳米。此外，以斯格明子为基础的内存甚至可在缺少电源的情况下保存信息。

特列季亚科夫的同事、俄罗斯远东联邦大学的亚历山大·萨马尔达克解释说，现在科学家们已在基于斯格明子研发新的数据储存和处理系统。这样的储存器元件造价更低，并且工作速度更快，更可靠。未来它们可用于生产电脑、智能手机以及能够长时间工作无需充电的传感器。