俄学者解释超快计算机存储器运行现象

© 照片 : Peter Karpov, NUST MISIS俄学者解释超快计算机存储器运行现象
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俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院(NUST MISIS)工作人员谢尔盖·布拉佐夫斯基和彼得·卡尔波夫合作,研究出了富有前景的现代微电子材料中的层状二硫化钽的隐藏潜在状态的形成理论。文章发表在《科学报告》(Scientific Reports)杂志上。

谢尔盖·布拉佐夫斯基2014年与斯洛文尼亚的同行们一起,发现了以上所提到的物质的隐藏潜在状态。试验以超短激光或电子脉冲对尺寸小于100纳米的二硫化钽样本施加影响。本次试验后开启了研究层状材料研究的热潮。

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材料的状态在辐照区域因这些脉冲而改变,它从绝缘体变成了导体(或者相反,根据试验员的意愿)。而且,转变发生的速度比现代计算机中充作记忆载体的最快材料还要快几倍。状态在影响后并未消失,而是保存下来。相应地,材料成为新一代信息载体中基础角色的潜在候选者。

谢尔盖·布拉佐夫斯基的同事、俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院理论物理和量子技术系工程师彼得·卡尔波夫向俄新社解释了这项研究的实质:"在斯洛文尼亚同行们发现物质在普通相位跃迁时所无法达到的隐藏潜在状态后,各种杂志中涌现出一大波这方面的科研文章。但是,大量文章只是试验性的,而理论滞后。也就是说,在许多实验室中都可以得到这种状态,但为何得到的恰好就是这种状态,它的形成机制如何,整体而言它的性质如何,仍然令人不得而知。在上述文章中我们恰好是在试图探寻所发生过程的理论基础。"

俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院学者们的工作在于构建包罗万象的理论模型。这一模型可用于描述新发现状态的最重要的性质:纳米结构镶嵌块的形成和转变。

学者们说,得益于所研究的理论,可以肯定,二硫化钽确实可被用来长期储存信息和以超快速度处理信息。

 

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