俄物理学家消除对“未来电子产品”所用材料的希望

© 照片 : NUST MISISАморфный сплав на основе алюминия
Аморфный сплав на основе алюминия - 俄罗斯卫星通讯社
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俄罗斯国家研究型工艺技术大学“莫斯科钢铁合金学院”(NUST MISIS)的学者们首个在世界上发表了对据推测可取代电子产品中硅的金属合金性质的研究结果。但试验没有证实曾经预测这种材料拥有必要性质的外国学者们的理论。

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俄罗斯专家们的结论发表在国际学术期刊《磁学与磁性材料》(Journal of Magnetism and Magnetic Materials)上。
这里提到的合金指的是锰-铁-铝合金。这种材料被认为具有应用在自旋电子学中的前景,是电子产品中硅的现代替代品。
俄罗斯国家研究型工艺技术大学"莫斯科钢铁合金学院"参与此项研究的工作人员德米特里·卡尔片科夫告诉卫星通讯社和广播电台:"寻找带有半金属传导类型的材料是极为重要的任务,因为按计划,这种材料将被应用在自旋电子学装置中。为了应用在自旋电子学结构中,必须使其中的所有电子磁矩对准一个方向。这有助于增加自旋电子学装置的效果。"
外国作者们曾预测锰-铁-铝合金拥有所需的传导类型。"莫斯科钢铁合金学院"的学者们决定检验他们的理论估计。
"样品极为紊乱,不具有远磁序",--卡尔片科夫解释说。他说,按照运输性能,这种合金与所谓的"不良合金"类似。对"不良合金"来说,与普通金属相比具有异常高的电阻是其典型特征。
学者们打算继续寻找无论是在理论上,还是经过对"候选材料"进行试验检验的途径,都具有100%的自旋极化率的材料。

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